Cet ouvrage est uniquement disponible en version électronique.
– Papier (Collections classiques, Encyclopédie SCIENCES) :
Livraison offerte pour toute commande directe effectuée sur le site istegroup.com
Délai de livraison : environ deux semaines
Envois uniquement vers : France métropolitaine, Belgique, Suisse et Luxembourg
Impression en couleur
Un ebook de l’ouvrage (à l’exception des titres de l’Encyclopédie SCIENCES) est offert pour tout achat
de sa version papier sur notre site, il vous sera envoyé après la finalisation de votre commande
Offre non applicable aux librairies
– Ebook (Collections classiques, Encyclopédie SCIENCES, Abrégés) :
Prix réservé aux particuliers
Pour les institutions : nous contacter
Nos ebooks sont au format PDF (compatible sur tout support)
Depuis plus de 30 ans, la Microscopie à Force Atomique (AFM) a démontré sa capacité à accéder aux propriétés locales de la matière. Très connue pour l’acquisition de la topographie, la technique s’est dotée au fil des années de nombreux modes permettant notamment de cartographier les propriétés mécaniques et électriques à l’échelle nanométrique.
Les travaux de recherches présentés dans cet ouvrage traitent quatre modes : le mode mécanique (le Peak Force Tapping Quantitative Nanomechanical Mapping (PF-QNM™)), et trois modes électriques (le Scanning Capacitance Microscopy (SCM), le Scanning Spreading Resistance Microscopy (SSRM) et le scanning Microwave Impedance Microscopy (sMIM)), spécifiquement pour la microélectronique fortement intégrée.
De l’interaction pointe-matière à la nanocaractérisation électrique et mécanique par AFM présente les résultats expérimentaux pour différents cas d’études relatifs au composant microélectronique : du boitier packaging aux profils de dopage du semiconducteur. Basée sur la physique du contact à l’échelle nanoscopique, l’analyse fine de chaque mode expose l’impact des paramètres de mesure et parvient à la mise en place de méthodologies expérimentales.
1. L’AFM pour l’analyse topographique et mécanique
2. Du nanocontact pointe-échantillon aux propriétés électriques locales de la matière
3. Cas d’études : une capacité fortement intégrée, un nMOS et une diode PIN